اثر آنتن

اثر آنتن، در ظاهر بیشتر آسیب رساننده اکسید گیت ناشی از پلاسما، اثری است که به‌طور بالقوه می‌تواند باعث مشکلات بازده و قابلیت اطمینان در هنگام ساخت ادوات نیم‌رسانا ماس شود.[1][2][3][4][5] کارخانه‌ها (fabs) معمولاً قوانین آنتن را تهیه می‌کنند، اینها قوانینی هستند که باید رعایت شوند تا از این مشکل جلوگیری شود. نقض چنین قوانینی را نقض آنتن می‌نامند. کلمه آنتن در این زمینه چیز نادرستی است — مشکل در واقع جمع شدن بار الکتریکی است، نه معنای عادی آنتن، که وسیله ای برای تبدیل میدان‌های الکترومغناطیسی به/از جریان‌های الکتریکی است. گاهی اوقات از عبارت اثر آنتن در این زمینه استفاده می‌شود،[6] اما این مورد از آنجا که اثرات زیادی وجود دارد، کمتر مشاهده می‌شود،[7] و این عبارت مشخص نمی‌کند که منظور چیست.

شکل ۱ (الف) نمای جانبی یک شبکه معمولی در یک مدار مجتمع را نشان می‌دهد. هر شبکه حداقل شامل یک راه‌انداز خواهد بود که باید حاوی انتشار سورس یا درین باشد (در کاشت فناوری جدید استفاده می‌شود) و حداقل یک گیرنده که از یک الکترود گیت بر روی یک دی‌الکتریک گیت نازک تشکیل شده‌است (به شکل ۲ نگاه کنید به نمای دقیق ترانزیستور ماس). از آنجا که دی‌الکتریک گیت بسیار نازک است، فقط چند مولکول ضخامت دارد، نگرانی بزرگ شکست این لایه است. این ممکن است اتفاق بیفتد اگر شبکه به نوعی کمی بالاتر از ولتاژ عملیاتی تراشه ولتاژ بدست آورد. (از نظر تاریخی، دی‌الکتریک گیت سیلیسیم دی‌اکسید بوده‌است، بنابراین بیشتر نوشته‌ها به آسیب اکسید گیت یا شکست اکسید گیت اشاره دارد. از سال ۲۰۰۷، برخی از تولیدکنندگان در حال جایگزینی این اکسید با مواد مختلف مختلف دی‌الکتریک با کاپای زیاد هستند که ممکن است اکسید باشند یا نباشند، اما اثر آن هنوز همان است)

شکل ۲. نمودار ماسفت، کاشت سورس/درین و دی‌الکتریک گیت را نشان می‌دهد.

منابع

T. Watanabe, Y. Yoshida, “Dielectric Breakdown of Gate Insulator due to Reactive Etching, ” Solid State Technology, Vol. 26 (4) p. 263, Apr. 1984
H. Shin, C. C. King, C. Hu, “Thin Oxide Damage by Plasma Etching and Ashing Processes, ” Proc. IEEE Int’l Reliability Phys. Symp. , p. 37, 1992
S. Fang, J. McVittie, “Thin-Oxide Damage from Gate Charging During Plasma Processing, ” IEEE Electron Devices Lett. Vol. 13 (5), p. 288, May 1992
C. Gabriel, J. McVittie, “How Plasma Etching Damages Thin Gate Oxides,“ Solid State Technol. Vol. 34 (6)p. 81, June 1992.
Hyungcheol Shin, Neeta ha, Xue-Yu Qian, Graham W. Hills, Chenming Hu, “Plasma Etching Charge-Up Damage to Thin Oxides, ’’ Solid State Technology, p. 29, Aug. 1993
Sibille, A. ; 2005, A framework for analysis of antenna effects in UWB communications, IEEE 61st Vehicular Technology Conference, Volume 1, 30 May-1 June 2005, pp. 48 - 52
From the above reference: Several major antenna effects are considered, like impedance matching, antenna gain, frequency-dependent radiation patterns, and antenna temporal dispersion in the presence of the radio channel.

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.

[1] T. Watanabe, Y. Yoshida, “Dielectric Breakdown of Gate Insulator due to Reactive Etching, ” Solid State Technology, Vol. 26 (4) p. 263, Apr. 1984

[2] H. Shin, C. C. King, C. Hu, “Thin Oxide Damage by Plasma Etching and Ashing Processes, ” Proc. IEEE Int’l Reliability Phys. Symp. , p. 37, 1992

[3] S. Fang, J. McVittie, “Thin-Oxide Damage from Gate Charging During Plasma Processing, ” IEEE Electron Devices Lett. Vol. 13 (5), p. 288, May 1992

[4] C. Gabriel, J. McVittie, “How Plasma Etching Damages Thin Gate Oxides,“ Solid State Technol. Vol. 34 (6)p. 81, June 1992.

[5] Hyungcheol Shin, Neeta ha, Xue-Yu Qian, Graham W. Hills, Chenming Hu, “Plasma Etching Charge-Up Damage to Thin Oxides, ’’ Solid State Technology, p. 29, Aug. 1993

[6] Sibille, A. ; 2005, A framework for analysis of antenna effects in UWB communications, IEEE 61st Vehicular Technology Conference, Volume 1, 30 May-1 June 2005, pp. 48 - 52

[7] From the above reference: Several major antenna effects are considered, like impedance matching, antenna gain, frequency-dependent radiation patterns, and antenna temporal dispersion in the presence of the radio channel.