ترانزیستور تحرک الکترونی بالا
ترازیستور تحریک الکترونی بالا (به انگلیسی: High-electron-mobility transistor یا به اختصار HEMT) نوعی از ترانزیستور اثر میدانی است که از پیوند بین دو نیم‌رسانای متفاوت با گاف انرژی متفاوت بهره می‌برد. دو نیم‌رسانایی که اغلب در این ترانزیستورها به کار می‌روند گالیم آرسنید (GaAs) و آلومینیوم گالیوم آرسنید (AlGaAs) هستند. این مواد به علت تحرک الکترونی بالا امکان استفاده از این نوع از ترانزیستورها را در سرعت‌ها و فرکانس‌های بالا فراهم می‌کنند.
برش عرضی از یک HEMT نوع P ساخته‌شده از GaAs، AlGaAsو InGaAs.
از این نوع ترانزیستور در تقویت‌کننده‌های با نویز کم، تلسکوپ‌های رادیویی و نجومی و تقویت‌کننده‌های مایکروویو استفاده می‌شود.
منابع
- مشارکت‌کنندگان مقاله‌ی High-electron-mobility transistor در ویکی‌پدیای انگلیسی. تاریخ بازدید ۱۱ ژانویه‌ی ۲۰۱۶.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.