ترانزیستور پیوند نامتناجس

ترانزیستور پیوند نامتناجس (به انگلیسی heterojunction bipolar transistor (HBT) ) نوعی از ترانزیستور است که از نیمه هادی‌های متفاوتی در ناحیه امیتر و بیس ساخته شده و یک پیوند نامتناجس به وجود آمده است. برتری HBT نسبت به BJT این است که می‌تواند در فرکانس‌های بسیار بالا تا حدود چند صد گیگاهرتز کار کند. از این ترانزیستور معمولاً در مدارات نسل جدید بسیار سریع و فرکانس رادیویی که نیازمند راندمان بالا نیز هست، مانند گوشی تلفن همراه، استفاده می‌شود.[1]

مواد
نمودار باند انرژی در HBT نوع npn نشان دهنده بان ممنوعه وسیع در ناحیه امیتر نسبت به بیس

تفاوت اصلی این ترانزیستور با ترانزیستور معمولی استفاده از نیمه هادی‌های متفاوت در پیوند بیس-امیتر و بیس-کلکتور است که سبب جلوگیری از تزریق الکترون از بیس به امیتر می‌شود. در این حالت می‌توان با افزایش ناخالصی ناحیه بیس، مقاومت آن را کم کرد و در عین حال بهره ترانزیستور را بالا برد. بدین منظور در ناحیه بیس این ترانزیستور از نیمه هادی با باند ممنوعه کم عرض مانند سیلیسیوم و گالیم آرسنید و در امیتر و کلکتور از نیمه هادی با باند ممنوعه عریض مثل گالیم نیترید استفاده می‌شود.

منابع
  1. W. Shockley: 'Circuit Element Utilizing Semiconductive Material', United States Patent 2,569,347, 1951.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.