سد شاتکی
سَد شاتکی، به نام والتر اچ شاتکی، یک سد انرژی بالقوه برای الکترون‌های تشکیل شده در یک پیوند فلز-نیم‌رسانا است. سد شاتکی دارای ویژگی‌های یکسوسازی، مناسب برای استفاده به عنوان دیود است. یکی از خصوصیات اصلی سد شاتکی، ارتفاع سد شاتکی است که با ΦB نشان داده می‌شود (شکل را ببینید). مقدار ΦB به ترکیب فلز و نیم‌رسانا بستگی دارد.[1][2]
دیود شاتکی 1N5822 با بسته‌بندی برش خورده. سیلیکون نیم‌رسانا (مرکز) سد شاتکی در برابر یکی از الکترودهای فلزی، و اتصال اهمی در برابر الکترود دیگر است.
نمودار نواری برای سد شاتکی نیم‌رسانای نوع N در بایاس صفر (تعادل) با تعریف گرافیکی از ارتفاع سَد شاتکی، ΦB، به عنوان تفاوت بین لبه باند هدایت بین سطح‌مشترک EC و تراز فرمی E F. [برای سد شاتکی نوع پی، ΦB اختلاف بین EF و لبه باند ظرفیت EV است]
همه پیوندهای فلز-نیم‌رسانا سد شاتکی یکسوسازی نیستند. یک پیوند فلز-نیم‌رسانا که جریان را در هر دو جهت بدون یکسوسازی هدایت می‌کند، شاید به دلیل کم بودن سد شاتکی، یک اتصال اهمی نامیده می‌شود.
جستارهای وابسته
- اتصال اهمی
- دیود شاتکی
- دیود
- حالت‌های شکاف فلز-القاشده
- ممریستور
- تراسازی‌الکتریکی
منابع
- Tung, Raymond T. (2014). "The physics and chemistry of the Schottky barrier height". Applied Physics Reviews. 1 (1): 011304. doi:10.1063/1.4858400. ISSN 1931-9401.
- Schottky barrier tutorial. See also metal-semiconductor junction.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.