مدل دیل-گروو

مدل دیل-گروو از نظر ریاضی رشد یک لایه اکسید در سطح یک ماده را توصیف می‌کند. به طور خاص، از آن برای پیش بینی و تفسیر اکسایش حرارتی سیلیکون در ساخت ادوات نیم‌رسانا استفاده می‌شود.[1] این مدل برای اولین بار در سال ۱۹۶۵ توسط بروس دیل و اندرو گروو از فرچایلد سمیکانداکتر منتشر شد، [2] کار بروی غیرفعال‌سازی سطح سیلیکون محمد عطاالله با استفاده از اکسایش حرارتی در آزمایشگاه‌های بل در اواخر دهه ۵۰ ساخته شد.[3] این به عنوان گامی در توسعه ادوات سیماس و ساخت مدارهای مجتمع بکار رفته است .

فرضیات فیزیکی
سه پدیده اکسیداسیون ، همانطور که در متن مقاله آمده است

این مدل فرض می‌کند که واکنش اکسیایش در واسط بین لایه اکسید و ماده زیرلایه بیشتر از حدِ بین اکسید و گاز محیط رخ می‌دهد.[1] بنابراین، سه پدیده که گونه‌های اکسیدکننده در معرض آن قرار دارند را در نظر می‌گیرد:

  1. واپخشی از انباشتن گاز محیط به سطح.
  2. واپخشی از طریق لایه اکسید موجود به رابط اکسید-زیرلایه.
  3. واکنش با زیرلایه.

منابع
  1. Liu, M.; Peng, J.; et al. (2016). "Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires". Theoretical and Applied Mechanics Letters. 6 (5): 195–199. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002.
  2. Deal, B. E.; A. S. Grove (December 1965). "General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon". Journal of Applied Physics. 36 (12): 3770–3778. doi:10.1063/1.1713945.
  3. Yablonovitch, E. (20 October 1989). "The Chemistry of Solid-State Electronics" (PDF). Science. 246 (4928): 347–351. doi:10.1126/science.246.4928.347. ISSN 0036-8075. Beginning in the mid-1950s, Atalla et al. began work on the thermal oxidation of Si. The oxidation recipe was gradually perfected by Deal, Grove, and many others.

کتابشناسی - فهرست کتب
  • Massoud, H. Z.; J.D. Plummer (1985). "Thermal oxidation of silicon in dry oxygen: Accurate determination of the kinetic rate constants". Journal of the Electrochemical Society. 132 (11): 2693–2700. doi:10.1149/1.2113649.
  • Jaeger, Richard C. (2002). "Thermal Oxidation of Silicon". Introduction to Microelectronic Fabrication (2nd ed.). Upper Saddle River: Prentice Hall. ISBN 0-201-44494-1.
  • Deal, B. E.; A. S. Grove (December 1965). "General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon". Journal of Applied Physics. 36 (12): 3770–3778. doi:10.1063/1.1713945.

پیوند به بیرون
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.