تریستور کنترل‌شده با نیمه‌رسانای اکسید فلز
تریستور کنترل‌شده با نیمه‌رسانای اکسید فلز یا اِم‌سی‌تی (به انگلیسی: MOS Controlled Thyristor یا MCT)، نوعی تریستور است که ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدان و تریستور را همزمان در خود دارد. این تریستورها را می‌توان با دروازه‌ای مشابه دروازهٔ مسفتها خاموش و روشن نمود. ام‌سی‌تی‌ها دارای di/dt بالا(حدود ۱۰۰۰ آمپر بر میکروثانیه)، افت ولتاژ کم (حدود ۱ ولت)، و زمان خاموشی کوتاه (حدود ۱.۵ ثانیه) هستند. dv/dt در ام‌سی‌تی‌ها حدود ۵۰۰۰ ولت بر میکروثانیه است. با توجه به این ویژگی‌ها ام‌سی‌تی‌ها برای کلیدزنی بسیار مناسبند.[1]
طرح‌واره‌ای از یک تریستور کنترل‌شده با مُس
مدارمعادل یک ام‌سی‌تی
منابع
- سن، پارش چاندرا (۱۳۷۳). ماشین‌های الکتریکی. ترجمهٔ مهرداد عابدی. کارآفرینان بصیر. شابک ۹۶۴-۶۴۲۷-۱۹-۷.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.