داوون کانگ
داوون کانگ (انگلیسی: Dawon Kahng; ۴ مهٔ ۱۹۳۱[3] – ۱۳ مه ۱۹۹۲ [4]) مهندس اهل کره جنوبی بود.
داوون کانگ | |
---|---|
نام بومی | 강대원 |
زادهٔ | ۴ مهٔ ۱۹۳۱[1] سئول |
درگذشت | ۱۳ مهٔ ۱۹۹۲ (۶۱ سال)[2] نیوبرانزویک |
ملیت | کره جنوبی |
پیشه | مهندسی برق |
شناختهشده برای | ماسفت (MOS transistor) PMOS و NMOS دیود شاتکی نانو الکترونیک Floating-gate MOSFET حافظه غیرفرار ایپیرام |
وی همچنین برندهٔ جوایزی همچون مدال بالنتاین استیوارت شدهاست.
منابع
- "Dawon Kahng". National Inventors Hall of Fame. 2009. Retrieved 28 March 2009.
- New York Times obituary
- "dawon kahng". national inventors hall of fame. 2009. Retrieved 28 March 2009.
- new york times obituary
- مشارکتکنندگان ویکیپدیا. «Dawon Kahng». در دانشنامهٔ ویکیپدیای انگلیسی، بازبینیشده در ۴ آوریل ۲۰۲۰.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.