ضریب خودالقایی

القاوری[1] یا القاییدگی یا اندوکتانس (به انگلیسی: Inductance) ویژگی یک مدار الکتریکی است که بر اساس قانون لنز، متناسب با آهنگ تغییرات جریان الکتریکی برحسب زمان، نیروی محرّکه الکتریکی مخالف آن درست می‌کند و سرعت تغییر جریان در مدار را می‌کاهد.

${\displaystyle \displaystyle {\epsilon }_{\rm {L}}=-L{\frac {di}{dt}},}$

مقالات در مورد
الکترومغناطیس
برق مغناطیس تاریخچه الکترومغناطیس Textbooks
الکترواستاتیک بار الکتریکی قانون کولن رسانای الکتریکی چگالی بار الکتریکی گذردهی (فیزیک) گشتاور دوقطبی الکتریکی میدان الکتریکی پتانسیل الکتریکی شار الکتریکی / انرژی پتانسیل الکتریکی تخلیه الکترواستاتیکی قانون گاوس القای الکترواستاتیکی عایق الکتریکی چگالی قطبش الکتریسته ساکن اثر برق مالشی
مغناطیس ساکن قانون آمپر قانون بیو−ساوار قانون مغناطیسی گاوس میدان مغناطیسی شار مغناطیسی گشتاور مغناطیسی تراوایی مغناطیسی پتانسیل مغناطیسی نرده‌ای مغناطش نیروی محرک مغناطیسی Magnetostatic potential قانون دست راست
الکترومغناطیس کلاسیک نیروی لورنتس القای الکترومغناطیسی قانون القای فارادی قانون لنز جریان جابجایی پتانسیل برداری مغناطیسی معادلات ماکسول میدان الکترومغناطیسی بمب الکترومغناطیسی تابش الکترومغناطیسی تنسور تنش ماکسول بردار پوئینتینگ پتانسیل لینار−ویشرت معادلات جفیمنکو جریان گردابی معادلات لاندن توصیف‌های ریاضی میدان الکترومغناطیسی
مدار الکتریکی جریان متناوب ظرفیت خازنی جریان مستقیم جریان الکتریکی برق‌کافت چگالی جریان الکتریکی گرمایش ژول نیروی محرکه الکتریکی امپدانس الکتریکی ضریب خودالقایی قانون اهم مدارهای سری و موازی مقاومت و رسانایی الکتریکی تشدیدگر مدارهای سری و موازی ولتاژ Waveguides
فرمول‌بندی هم‌وردا تنسور الکترومغناطیسی (تنسور ضربه انرژی الکترومغناطیسی) چاربردار جریان چاربردار پتانسیل
دانشمندان آندره-ماری آمپر ژان-بتیست بیو شارل آگوستن دو کولن همفری دیوی آلبرت اینشتین مایکل فارادی ایپولیت فیزو کارل فریدریش گاوس الیور هویساید جوزف هنری هاینریش هرتز جیمز ژول هاینریش لنز هندریک لورنتز جیمز کلرک ماکسول هانس کریستین اورستد گئورگ زیمون اهم Ritchie فلیکس ساوار سینگر نیکولا تسلا آلساندرو ولتا ویلهلم ادوارد وبر

v یا ε_L، ولتاژ القا شده است.

ضریب القاوری

${\displaystyle L}$ ضریب القاوری[1]، ضریب خودالقایی یا ضریب خودالقاگری است که رابطه‌ای خطی میان جریان الکتریکی (${\displaystyle i}$) و شار مغناطیسی (${\displaystyle \phi }$) برقرار می کند؛

${\displaystyle \phi =L\,i}$

البته این موضوع تنها برای محیط های خطی صادق است.

یکای ${\displaystyle L}$ در دستگاه بین‌المللی SI، هِنری است.

در میدان مغناطیسی یکنواخت، ضریب القاوری سیم‌پیچ (که در یک لایه پیچیده شده) اینگونه به دست می آید:

${\displaystyle \displaystyle L={\frac {k{\mu }_{\rm {0}}N^{2}A}{l}}}$

نتیجه‌ی مهم این رابطه این است که ضریب القاوری سیم‌پیچ (سیملوله٬ بوبین٬ سولنوئید) تنها به ساختمان آن بستگی دارد.

نماد	مقدار
k	ضریب تراوایی(گذردهی) نسبی مغناطیسی هسته
μ0	ضریب تراوایی مغناطیسی خلا
N	شمار دورهای سیم‌لوله
A	مساحت هر حلقه
l	درازای سیم‌پیچ

پی‌نوشت‌ها و منبع‌ها

1. واژه‌های مصوب فرهنگستان زبان و ادب فارسی، دفتر ششم